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LED两项新标准获提案立项

作者:佚名  来源:电子元器件  时间:2014/10/18 11:44:01

  SEMI中国HB-LED标准技术委员会秋季会议9月19日在哈尔滨召开,这是自今年3月成立SEMI中国HB-LED标准技术委员会后,中国LED产业核心企业代表再次聚会,来自中国大陆、台湾以及欧洲的近70名代表共同审阅了《用于HB-LED晶圆制造的蓝宝石单晶规范》的进展,并对中国LED领先企业所提出的新标准提案进行严格审核后批准予以立项。

    哈尔滨高新区管委会副主任姜元平表达了当地政府对建设“中国北方智都”的决心和信心!SEMI中国HB-LED标准技术委员联席主席、贵州皓天科技有限公司季泳总经理对主办方SEMI中国、承办方哈尔滨奥瑞德,以及钻石赞助商EDWARDS 表示感谢。哈尔滨奥瑞德董事长左洪波博士表示,蓝宝石业务在LED行业得到大幅提升,生产规格也由2英寸逐渐向4英寸/6英寸升级;蓝宝石在消费电子领域,尤其在摄像及指纹识别的应用,会成为今后中高级手机的标配但竞争也会愈加激烈,感谢SEMI从标准的层面上来推动中国LED产业的健康可持续发展。

    贵州皓天代表向大会报告了“Single Crystal Sapphire Task Force”的工作进展,代表们一致通过了上次会议纪要。SEMI负责标准事务的沈红经理向代表们介绍了SEMI在标准制定方面的进展,特别重点介绍了新近发布的HB-LED标准(HB1-0814、HB2-0613、HB3-1113、HB4-0914)以及批准的5项规范文件。哈尔滨奥瑞德代表就新标准提案“SNARF – Specification for Single Crystal Sapphire Ingot for LED Application”和新工作组方案——“LED Sapphire Ingot Task Force”向与会代表做了说明。代表们就其技术指标的检测方法、计划时间表,以及英文用词等进行了热烈讨论后,一致通过了哈尔滨奥瑞德的SNARF 和TFOF 申请。

    随后,清华同方南通半导体的代表向大会就新标准 – Test Method for Surface Quality of GaN based LED Epitaxial Wafer Using for Manufacturing HB-LED做了说明。代表们认为,GaN磊晶的品质至关重要业界应予重视,对质量及其物理性要有所规范。在清华同方南通代表就新工作组方案——“GaN Based LED Epitaxial Wafer Task Force” 做出说明后,其SNARF 和 TFOF 申请均获得代表一致通过。

    SEMI首席分析师Daniel Qi与代表们分享了“LED制造及其思考”报告,就LED制造的发展与现状、产业的未来热点、外延芯片制造业整合的加剧、MOCVD设备市场、产业竞争与垄断等相关话题得到了代表们的热烈呼应。会议期间,哈尔滨奥瑞德还特别安排与会代表参观了其蓝宝石生产线。另外,标委会核心委员还就下次会议时间、地点投票决定:南京京晶光电将成为下次会议的承办方,2015年4月10日南京:SEMI中国HB-LED标准技术委员会再相聚!大家相约:2015年3月上海SEMICON中国再见!

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